Podstawy elektroniki i elektrotechniki - Tranzystory

Tranzystor bipolarny (warstwowy) stanowi kombinacje dwóch półprzewodnikowych złączy P-N wykorzystywanych w jednej płytce półprzewodnika.
1) Tranzystor N-P-N Złącze emiter – baza polaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Powoduje to przechodzenie elektronów z obszaru emitera do obszaru bazy, gdzie częściowo rekombinują z dziurami. Przyłożenie do kolektora dodatniego potencjału powoduje, że elektrody z obszaru bazy przechodzą do kolektora i obwodu zewnętrznego.
2) Tranzystor P-N-P
W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor.
Tranzystor ma właściwości wzmacniające: niewielkim prądem bazy [µA] steruje się przepływem dużego prądu w obwodzie kolektor – emiter [mA]
Charakterystyka statyczna tranzystora w układzie WE

Tranzystory unipolarne (polowe) to grupa elementów, których wspólną cechą jest pośrednie oddziaływanie pola elektrycznego na rezystancje półprzewodnika lub cienkiej warstwy nieprzewodzącej.
W działaniu elementów bierze udział tylko jeden rodzaj nośników, a moc potrzebna do sterowania przepływem nośników
Rodzaje tranzystorów
1)tranzystory polowe złączone (JFET, FET) ze złączem P-N (PNFET) ze złączem metal – półprzewodnik (MESFET)
2)Tranzystory polowe z izolowana bramka (JGFET) o strukturze metal – tlenek – półprzewodnik (MOS, MOSFET)
3) Tranzystory polowe cienko warstwowe TFT
Tranzystory polowe złączone Tranzystor składa się z warstwy półprzewodnika typu N lub P tworzącej kanał. W obszar kanału dyfundowane są domieszki dające obszary przeciwnego typu.
Tranzystor ma 3 elektrody: źródło S – dostarcza nośników, dren D – elektroda, do której dochodzą nośniki, bramka G – steruje przepływem nośników
Tranzystor z kanałem typu N Złącze kanał - bramka polaryzowane jest w kierunku zaporowym. Warstwa zaporowa powoduje zmniejszenie czynnego przekroju kanału, zwiększenie jego rezystancji. Wartość prądu płynącego przez kanał zależy od tej rezystancji oraz natężenia pola elektrycznego między źródłem, a drenem.
Tranzystor z kanałem typu P Parametry graniczne: maksymalny prąd drenu, maksymalny prąd bramki, maksymalne napięcie Ups, maksymalne straty mocy
Tranzystory polowe z izolowaną bramką mają bramkę odizolowaną od kanału cieńką warstwą izolacyjną SiO2. Dzieki temu bez względu od jej polaryzacji teoretycznie nie płynie przez nią prąd (10 do -3 pA 10 nA )Na więc rezystancja wyjściowa jest bardzo duża (10 do 9 10 do 16Ω)
Stan akumulacji – dziury gromadzą się na powierzchni (warstwa wzbogacona) prąd – źródło – dren ma bardzo małą wartość.
1) Tranzystor z kanałem indukowanym
2) Tranzystor z kanałem wbudowanym