Podział elementów energoelektronicznych: a) elementy niesterowane – diody; b) elementy sterowane – 1)elementy niewpełni sterowane (tyrystory SCR –łatwo włączyć, trudno wyłączyć); 2)elementy w pełni sterowne (tyrystory GTO, tranzystory IGBT, MOSFET). Warunki idealnego łącznika: wysokie nap pracy (ok. 3kV); duża jednostkowa obciążalność elementów (co najmniej 3kA); małe straty w czasie załanczania, przewodzenia, wyłanczania; małe wymagania dotyczące układu sterowania; brak konieczności stosowania złożonych urządzeń zabezpieczających; umiarkowana cena. Podstawowy warunek ograniczający dotyczy ograniczenia termicznego, które związane jest z max częstotliwością pracy elementu energoelektronicznego. Dioda półprzewodnikowa. Stany pracy: przewodzenia (Ud>0); nieprzewodzenia (zaporowy) (Ud<0). Przejście ze stanu zaporowego na przewodzenia następuje praktycznie natychmiast. Zmiana stanu pracy ze stanu przewodzenia na zaporowy wymaga skróconego czasu trr. Spowodowane jest to koniecznością likwidacji nośników swobodnych w strukturze półprzewodnikowej. Elementy sterowane. Tyrystor SCR. Stany pracy tyrystora: a)stan zaporowy (UT≤0; iT≤0); b)stan blokowania (UT>0; iT>0 ale iT