Arsenofosforek galu, fosforoarsenek galu, GaAsP – materiał półprzewodnikowy, stop arsenku galu i fosforku galu.
Stosowany jest do produkcji diod elektroluminescencyjnych świecących na żółto, pomarańczowo lub czerwono. Może być domieszkowany azotem (GaAsP:N).
Przerwa energetyczna
Szerokość przerwy energetycznej w temperaturze 0 K dla nienaprężonej warstwy o składzie GaAs(1−x)Px jest równa (w eV)[1]:
Wprowadzenie naprężeń ściskających powoduje zmniejszenie szerokości przerwy energetycznej[2].
Przypisy
- ↑ I. Vurgaftman , J.R. Meyer , L.R. Ram-Mohan , Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys, „Journal of Applied Physics”, 89 (11), 2001, s. 5815–5875, DOI: 10.1063/1.1368156 .
- ↑ M.-E. Pistol , M.R. Leys , L. Samuelson , Properties of thin strained Ga(As,P) layers, „Physical Review B”, 37 (9), 1988, s. 4664–4670, DOI: 10.1103/PhysRevB.37.4664 .
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.